特許
J-GLOBAL ID：200903091017830881
金属パターン膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-162963
公開番号（公開出願番号）：特開平7-018452
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年01月20日
要約：
【要約】【構成】 半導体集積装置に新規配線を行うために、所定の配線の上の絶縁膜を集束イオンビームを繰り返し走査して照射し、絶縁膜を除去する。新規配線を行う領域に集束イオンビームを繰り返し走査して照射しながら金属ヘキサカーボニル蒸気を局所的に吹きつけて、新規配線としての金属パターン膜を形成する。所謂集束イオンビームCVDである。次に、この金属パターン膜を陰極にして、電気メッキ液に浸し、陽極を電気メッキ液に挿入して、金属の電気メッキをこの金属パターン膜の上に形成する。【効果】 集束イオンビームCVDによる金属パターン膜は、比抵抗が高く、高速演算や大電流を流す集積装置には適応できなかったが、電気メッキをその上に形成することにより比抵抗が小さくなり、前述の集積装置に新規配線をすることができる。
請求項（抜粋）：
集束イオンビームを試料表面の新規配線を行う所定領域にて繰り返し走査して照射し、該集束イオンビームの照射と同時に金属ヘキサカルボニル蒸気をノズルにて局所的に前記新規配線を行う所定領域吹きつけて金属ヘキサカルボニルを分解して金属パターン膜を形成し、その後前記金属パターン膜の上面に電気メッキにて金属の薄膜を形成することを特徴とする金属パターン膜形成方法
IPC (3件)：
C23C 16/48
, C23C 16/04
, H01L 21/285
