特許
J-GLOBAL ID：200903091021407160
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184883
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015706
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 アスペクト比が高く、その表面に微細な凹凸を有する筒型ストレージノード電極に対するセルプレート電極の被覆性を向上させ、半導体装置の電気的特性ないし信頼性を改善する。【解決手段】 筒型ストレージノード電極上に第1のセルプレート電極膜を形成する工程と第1のセルプレート電極膜に導電型不純物を導入する工程と第1のセルプレート電極膜上に第2のセルプレート電極膜を形成する工程とを含むものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面上に不純物拡散層を有する半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子および前記半導体基板上に形成された絶縁膜を介して前記不純物拡散層と電気的に接続された筒型ストレージノード電極を形成する工程と、前記筒型ストレージノード電極上にキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、前記キャパシタ絶縁膜上に第1のセルプレート電極膜を形成する工程と、前記第1のセルプレート電極膜に導電型不純物を導入する工程と、前記第1のセルプレート電極膜上に第2のセルプレート電極膜を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
5F083AD26
, 5F083AD49
, 5F083AD54
, 5F083AD62
, 5F083GA09
, 5F083GA19
, 5F083JA05
, 5F083JA39
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083PR36
, 5F083PR37
, 5F083PR39
