特許

J-GLOBAL ID：200903091021689026

昇圧用半導体集積回路及びその半導体集積回路を用いた電子機器

発明者： 高橋 寛 ,  斉藤 豊 ,  小田切 博之 ,  堀口 勝弘
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335424
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334119
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 モノリシック昇圧用半導体集積回路装置および電子機器の実現、改良するものである。【構成】 モノリシック昇圧半導体集積回路装置は基本要素としてダイオード部分A(もしくはMOSトランジスタ)とキャパシタ部分Bの対(ペア)から構成されている。ダイオードは整流転送機能を、キャパシタは電荷の蓄積機能をもっている。該ダイオードである整流素子部分AがSOI基板15(SiliconOn Insulatorの略で、半導体基板上に絶縁層を有し該絶縁層上に薄膜の半導体基板を有する構成を取る半導体基板のことである。)上に形成され、それぞれ電気的に分離されているという構成を取る。これまでモノリシックでは不可能だった数Vから数100Vまでの高倍率の昇圧用半導体集積回路装置が可能とするものである。

請求項（抜粋）：

支持基板の上に絶縁膜を介して設けられた半導体膜と、該半導体膜に設けられた整流素子と電荷蓄電素子とからなる昇圧ユニットと、前記昇圧ユニットが各々誘電体分離されて複数直列接続して該支持基板上に設けられたことを特徴とする昇圧用半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H02M 3/07 ,  H02M 7/10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-109663
  
• 特開昭60-262451
  
• 特開平4-094161