半導体電源素子、その製造方法、半導体電源素子を集積化した半導体集積回路、及び該半導体集積回路を搭載したICカード又はICタグ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-279896
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094094
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】半導体チップ上に集積化可能で持続的且つ高効率に電気エネルギーを供給できると共に製造が容易な半導体電源素子を実現できるようにする。【解決手段】単結晶p型シリコンからなる半導体基板10の上部には、トリチウム(三重水素)を含む多孔質p型領域10pが形成され、該多孔質p型領域10pの上には、トリチウムを含む多孔質n型領域11nが形成されている。半導体基板10における多孔質n型領域11nの反対側の面上には、p側電極12が形成され、多孔質n型領域11nの上には、n側電極13が形成されている。n側電極13上には窒化シリコンからなるパッシベーション膜14が形成されている。p側電極12及びn側電極13にはそれぞれ電力出力端子15が設けられている。

請求項（抜粋）：

p型領域とn型領域とを有する半導体と、前記半導体における前記p型領域及びn型領域からなるpn接合面の近傍に形成され、放射性物質を含む多孔質半導体領域と、前記p型領域及びn型領域とそれぞれ電気的に接続されたp側電極及びn側電極電極とを備えていることを特徴とする半導体電源素子。

IPC (5件)：

H01L 31/04 , B42D 15/10 521 , G06K 19/077 , G06K 19/07 , H01L 31/09

FI (5件)：

B42D 15/10 521 , H01L 31/04 Q , G06K 19/00 K , G06K 19/00 J , H01L 31/00 A

Fターム (19件)：

2C005MA15 , 2C005MA19 , 2C005MB08 , 2C005NA08 , 5B035AA00 , 5B035BB09 , 5B035CA12 , 5F051AA02 , 5F051BA05 , 5F051CB30 , 5F051GA14 , 5F088AA02 , 5F088AB03 , 5F088AB16 , 5F088BA20 , 5F088BB10 , 5F088CB08 , 5F088CB18 , 5F088CB20

引用特許：

審査官引用 (8件)

ウラン系半導体素子、そのデバイスおよび発電設備
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-334351 出願人：株式会社東芝
特開昭54-035691
特開昭54-032281

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