特許

J-GLOBAL ID：200903091033122315

シリコン・ダイアフラムを有するトランスデューサ及びそのトランスデューサを形成する方法

発明者： ジェームズ・ディー・シーフェルト ,  マイケル・エフ・マッツ
出願人/特許権者： エスエスアイ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-145297
公開番号（公開出願番号）：特開平9-026372
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】 比較的少数のステップで、シリコン・ウエハに形成されたダイアフラムを有する圧力センサを提供する。【解決手段】 本発明は、a)基板の中にn形又はp形の一方のドーパントの層を注入し、b)基板の上方表面上に、n形又はp形の他方のドーパントを含むエピタキシャル層を配置し、c)エピタキシャル層を介してn形又はp形の一方のドーパントの層との電気的接続の中へ離間したそれぞれはn形又はp形の一方のドーパントを含むシンカを注入し、d)基板を陽極処理して、シンカと層との多孔性シリコンを形成し、e)前記多孔性シリコンを酸化して、二酸化シリコンを形成するステップと、f)前記二酸化シリコンをエッチングして、前記キャビティ及びダイアフラム11を形成するステップと、を含む。

請求項（抜粋）：

上方表面を有するシリコン基板上にフォース・トランスデューサを含む装置を形成する方法において、前記シリコン基板はn形又はp形の一方のドーパントを含み、前記フォース・トランスデューサは、離間した側壁とこのキャビティにおいてサポートされているダイアフラムとを有するキャビティを含み、前記ダイアフラムは、前記キャビティの前記側壁の間に延長しており、a)前記基板の中にn形又はp形の前記一方のドーパントの層を注入するステップと、b)前記基板の前記上方表面上に、n形又はp形の他方のドーパントを含むエピタキシャル層を配置するステップと、c)前記エピタキシャル層を介してn形又はp形の前記一方のドーパントの前記層との電気的接続の中へ離間したシンカを注入するステップであって、前記シンカのそれぞれはn形又はp形の前記一方のドーパントを含む、ステップと、d)前記基板を陽極処理して、前記シンカと前記層との多孔性シリコンを形成するステップと、e)前記多孔性シリコンを酸化して、二酸化シリコンを形成するステップと、f)前記二酸化シリコンをエッチングして、前記キャビティ及びダイアフラムを形成するステップと、を含むことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B