特許

J-GLOBAL ID：200903091041305941

露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法

発明者： 佐藤 光弥 ,  野口 美代子
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-148536
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333802
出願日： 1993年05月27日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 ウエハ面上のレジストにパターンを高解像度で転写露光することのできる露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。【構成】 照明系からの光束で被照射面上のパターンを照明し、該パターンを投影レンズにより基板面上に投影露光する際、露光中に該照明系の開口数と該投影レンズの開口数のうち少なくとも一方の開口数を変化させていること。

請求項（抜粋）：

照明系からの光束で被照射面上のパターンを照明し、該パターンを投影レンズにより基板面上に投影露光する際、露光中に該照明系の開口数と該投影レンズの開口数のうち少なくとも一方の開口数を変化させていることを特徴とする露光装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G02B 3/00 ,  G03B 27/32

FI (2件)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 311 S