特許

J-GLOBAL ID：200903091042845370

窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体基板

発明者： 加納 聖也
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-251411
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055099
出願日： 2001年08月22日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：

【要約】【課題】 ピットの少ない表面モフォロジーの良好な窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 ハイドライド気相成長法を用いて、基板上に少なくとも、第1の窒化ガリウム系化合物半導体層と、第2の窒化ガリウム系化合物半導体層とをこの順で成長させて窒化ガリウム系化合物半導体基板を得る。この際、第1の窒化ガリウム系化合物半導体層の成長速度を、第2の窒化ガリウム系化合物半導体層の成長速度よりも小さくする。

請求項（抜粋）：

ハイドライド気相成長法を用いて、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層を形成する窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法であって、前記窒化ガリウム系化合物半導体層が、少なくとも、前記基板上にこの順で形成された第1の窒化ガリウム系化合物半導体層と、第2の窒化ガリウム系化合物半導体層とから成り、第1の窒化ガリウム系化合物半導体層の成長速度が、第2の窒化ガリウム系化合物半導体層の成長速度よりも小である窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610

Fターム (48件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EF01 ,  4G077EH09 ,  4G077TC10 ,  4G077TC14 ,  4G077TC19 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DQ08 ,  5F045EB13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA28