特許
J-GLOBAL ID：200903091043545672
微小磁場測定手段を用いた材料評価方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-131746
公開番号（公開出願番号）：特開平8-327714
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】材料と磁束計との距離をnmのスケールで正しく把握することができ、磁場感度が高く、空間分解能の大きい磁場分布測定手段を用いた材料評価方法およびそれを実施する装置を提供する。【構成】微小な超電導量子干渉素子により構成された磁束計を、材料表面との距離を一定に保持しながら材料面上を走査して磁場の空間分布を測定することにより材料評価を行う方法およびそれを実施する装置。【効果】微小超電導量子干渉素子を測定する材料近傍で制御性良く走査することができるので、微小磁場の分布を高感度に高い空間分解能で測定することができ、的確な材料評価を行うことができる。
請求項（抜粋）：
微小な超電導量子干渉素子により構成された磁束計を、材料表面との距離を一定に保持しながら材料面上を走査して磁場の空間分布を測定することにより材料評価を行うことを特徴とする微小磁場測定手段を用いた材料評価方法。
IPC (6件)：
G01R 33/10 ZAA
, G01N 27/72
, G01R 33/035 ZAA
, G01R 33/16 ZAA
, H01L 39/00 ZAA
, H01L 39/22 ZAA
G01R 33/10 ZAA
, G01N 27/72
, G01R 33/035 ZAA
, G01R 33/16 ZAA
, H01L 39/00 ZAA Z
, H01L 39/22 ZAA D
