半導体薄膜製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-111237
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314050
出願日： 2001年04月10日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】製造工程の簡略化が図られ、低コストかつ高いスループットでガラス等の基板上に単結晶薄膜を形成することが可能な半導体薄膜製造装置を提供することである。【解決手段】水素イオン注入を施した半導体結晶6の表面の所定の領域にレーザ光を照射させる機構を有するレーザ照射部1、半導体結晶6との相対的な位置決め機構を有する基板保持部3、半導体薄膜を形成する基板5との相対的な位置決め機構を有する半導体結晶保持部7、及び半導体結晶6と基板5の密着性を高めるための圧板4から構成される構造とすることで、特願2000-398760号「半導体薄膜の形成方法」に基づく半導体薄膜形成原理により、イオン注入が施された半導体単結晶6のレーザ光照射領域8が薄膜状に剥離するとともに、剥離した半導体単結晶が密着している基板5に接着され、基板5の表面に半導体単結晶薄膜が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体結晶と半導体薄膜を形成する基板の相対的な位置決め機構及び半導体結晶と半導体薄膜を形成する基板を密着させる機構を有し、且つ半導体結晶表面又は半導体薄膜を形成する基板の所定の領域にレーザ光を照射させる機構を有する半導体薄膜製造装置。

IPC (3件)：

H01L 27/12 , B81B 1/00 , H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 27/12 B , B81B 1/00 , H01L 21/268 E

前のページに戻る