特許
J-GLOBAL ID：200903091050029353
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-102896
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294366
出願日： 1997年04月21日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上の配線パターン同士の間のスペース部のうち狭い幅を有するスペース部に、ダメージを受けることなく低誘電率膜を形成する。【解決手段】 半導体基板100の上には、コンタクト102を有する第1層の層間絶縁膜101が形成され、該第1層の層間絶縁膜101の上には、複数の配線パターン105と該複数の配線パターン105同士の間に位置する複数のスペース部が形成されている。複数のスペース部のうち、最小の幅を有する最小スペース部の3倍以上の幅を有し且つ配線パターン105によって囲まれた閉じた領域には、金属膜よりなる平面状のダミーパターン106が形成されている。配線パターン105同士のスペース部及び配線パターン105とダミーパターン106との間には低誘電率膜107が充填されていると共に、配線パターン105及びダミーパターン106の上には第1のCVD酸化膜104が堆積されている。第1のCVD酸化膜104及び低誘電率膜107の上には全面に亘って第2のCVD酸化膜108が堆積されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の配線層に形成された、金属膜よりなる複数の配線パターンと、前記配線層における前記複数の配線パターン同士の間にそれぞれ形成された複数のスペース部と、前記複数のスペース部のうち、最小の幅を有する最小スペース部の3倍以上の幅を有するスペース部に、両隣りに位置する前記配線パターンとの間にそれぞれ前記最小スペース部の幅以上の間隔を持つように形成されており、前記半導体基板に発生する熱を該半導体基板と反対側に伝達する金属膜よりなる平面状のダミーパターンと、前記配線パターン同士の間及び前記配線パターンと前記ダミーパターンとの間に充填されており、比誘電率がCVD酸化膜よりも小さい低誘電率材料よりなる低誘電率膜と、前記配線パターン、ダミーパターン及び低誘電率膜を覆うように堆積されており、熱伝導率が前記低誘電率材料よりも大きい高熱伝導率材料よりなる層間絶縁膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3205
H01L 21/90 S
, H01L 21/88 B
, H01L 21/88 K
