特許

J-GLOBAL ID：200903091050056695

半導体デバイスの静電破壊試験装置

発明者： 杉浦 常夫 ,  景川 晶宇 ,  奥秋 重雄 ,  磯福 佐東至
出願人/特許権者： 東京電子交易株式会社
代理人 (1件)： 堀田 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-072826
公開番号（公開出願番号）：特開平5-180899
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 デバイス帯電法による静電破壊試験装置は、従来、実用的で再現性のよい装置が存在しなかった。本発明は、特にプローブ部分等に、新規な構造を採用することにより、実用的で再現性の良い装置を実現するものである。【構成】 試料の半導体デバイスのピン位置に対応してプローブ部(33)を移動する手段と、プローブ部(33)を下げて試料(35)のピンに接触させる手段と、プローブ部(33)内の第1のスイッチを閉じることによりデバイスに帯電させる手段と、第2のスイッチを閉じることによりデバイスより放電させる手段とからなり、そのスイッチはスイッチの駆動手段から離隔していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

試料のピン位置に対応してX軸,Y軸,Z軸方向に機械的にプローブ部を移動する手段と、試料のピン位置に対してプローブ部を下げて試料のピンに直接接触させる手段と、前記プローブ部内の第1のスイッチを閉じることにより試料のピンと大地間に高電圧電源より電荷を帯電させる手段と、前記プローブ部内の第2のスイッチを閉じることにより試料のピンと大地間に帯電した電荷を放電させる手段とを具備し、該スイッチはスイッチの開閉を制御する手段から離隔して位置していることを特徴とする半導体デバイスの静電破壊試験装置。