特許
J-GLOBAL ID：200903091050517323
化合物半導体結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060515
公開番号（公開出願番号）：特開平6-271386
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月27日
要約：
【要約】【構成】 原料(例えばヒ素とガリウム)を入れたるつぼを高圧容器内に配置し、該るつぼをヒータで加熱して内部の原料を合成反応させて、化合物半導体結晶を製造する方法において、上記原料同士の合成反応の開始を光センサにより検出して上記ヒータへの給電を制御するようにした。【効果】 温度センサを用いた場合のように時間遅れを生じることなく原料の合成反応の開始を正確に知ることができ、これによって精度の高い制御が可能になり組成バラツキが小さな単結晶を再現性良く育成することができるとともに、センサ出力を用いた自動制御も可能になり結晶インゴット間のバラツキを低減させることができる。
請求項（抜粋）：
揮発性元素を含む2以上の原料を入れたるつぼを高圧容器内に配置し、該るつぼをヒータで加熱して内部の原料を合成反応させて、化合物半導体結晶を製造する方法において、上記原料同士の合成反応の開始を光センサの出力に基づいて検出して上記ヒータへの給電を制御するようにしたことを特徴とする化合物半導体結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 15/20
, C30B 27/02
, C30B 29/42
, H01L 21/208
