特許
J-GLOBAL ID：200903091051070209
反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-317748
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128490
出願日： 2003年09月10日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】多層反射膜成膜後の応力の経時変化を抑制し、実用上安定して使用できる反射型マスクブランクおよび反射型マスクの製造方法を提供する。【解決手段】基板11上に、少なくとも露光光を反射する多層反射膜12と、該多層反射膜12上に設けられる露光光を吸収する吸収体層14とを形成する反射型マスクブランクの製造方法であって、多層反射膜12成膜後の熱的要因により多層反射膜12を構成している各層界面のミキシングが起きないように、多層反射膜12の成膜時、及び/又は成膜後、該多層反射膜付き基板に加熱処理を加えることによって、上記各層界面のミキシングの進行を抑制させる。上記加熱処理における多層反射膜付き基板の基板加熱温度は、50°C以上レジスト膜のベーク温度以下である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に設けられる露光光を吸収する吸収体層とを形成する反射型マスクブランクの製造方法であって、
多層反射膜成膜後の熱的要因により前記多層反射膜を構成している各層界面のミキシングが起きないように、前記多層反射膜の成膜時、及び/又は成膜後、該多層反射膜付き基板に加熱処理を加えることによって、前記各層界面のミキシングの進行を抑制させることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 531M
, G21K1/06 D
, H01L21/30 517
5F046BA05
, 5F046GA03
, 5F046GB01
, 5F046GD20
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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