特許

J-GLOBAL ID：200903091059180208

半導体集積回路装置の形成方法

発明者： 河渕 靖 ,  谷垣 幸男 ,  春田 亮 ,  鈴樹 正恭 ,  西原 晋治 ,  石田 進一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-147315
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142475
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置の平坦化を高める。また、半導体集積回路装置の電気的信頼性を高める。【構成】 半導体基板1の主面上に、多結晶珪素膜11A、高融点金属シリサイド膜11Cの夫々を順次積層した積層配線11を有する半導体集積回路装置の形成方法において、前記半導体基板1の主面上に多結晶珪素膜11A、高融点金属膜11Bの夫々を順次堆積する工程と、前記多結晶珪素膜11A、高融点金属膜11Bの夫々に順次パターンニングを施して積層配線11を形成する工程と、前記半導体基板1に熱処理を施し、前記多結晶珪素膜11Aと高融点金属膜11Bとの間の界面領域に高融点金属シリサイド膜11Cを形成する工程と、前記積層配線11に選択エッチングを施して高融点金属膜11Bを除去する工程とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面上に、多結晶珪素膜、高融点金属シリサイド膜の夫々を順次積層した積層配線を有する半導体集積回路装置の形成方法において、前記半導体基板の主面上に多結晶珪素膜、高融点金属膜の夫々を順次堆積する工程と、前記多結晶珪素膜、高融点金属膜の夫々に順次パターンニングを施して積層配線を形成する工程と、前記半導体基板に熱処理を施し、前記多結晶珪素膜と高融点金属膜との間の界面領域に高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、前記積層配線に選択エッチングを施して高融点金属膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置の形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 K