二次パッシベーション層を有するパワー半導体構成要素及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤田アキラ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-064972
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258710
出願日： 2007年03月14日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】二次パッシベーション層を有するパワー半導体構成要素及びその製造方法の提供。【解決手段】半導体本体のエピタクシー法及び/又は拡散法及び構造化プロセスのすべてを実施し、パワー半導体構成要素の少なくとも1つの主面の少なくとも1つの第1の部分面を一次パッシベーションして、一次パッシベーションのステップの前後に、この主面の第2の部分面を金属化し、当該ステップに続いて、少なくとも1つの一次パッシベーション層の少なくとも1つの覆われていない領域が、スクリーン印刷法によって、スクリーン印刷可能なポリイミドで覆われる二次パッシべーション、最後にパワー半導体構成要素を個別化すること、を含む、製造方法と、当該製造方法によるパワー半導体構成要素。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも1個のpn遷移と、主面の部分面に配列された少なくとも1つの一次パッシベーション層(20、24)とを有する半導体本体を備えるパワー半導体構成要素(10)であって、前記一次パッシベーション層(20、24)の少なくとも1つが、二次パッシベーション層としてスクリーン印刷可能なポリイミド(30、34)によって覆われる、パワー半導体構成要素(10)。

IPC (5件)：

H01L 21/312 , H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/861

FI (5件)：

H01L21/312 B , H01L29/78 652P , H01L29/78 658F , H01L29/78 652N , H01L29/91 C

Fターム (4件)：

5F058AC02 , 5F058AD04 , 5F058AF06 , 5F058AH03

引用特許：

出願人引用 (2件)

独国特許出願公開第4013435A1号明細書
独国特許出願公開第4410354A1号明細書

審査官引用 (7件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-310357 出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ
特開昭56-114335
特開昭61-172338

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