特許
J-GLOBAL ID:200903091066811604
光触媒シリカゲルおよびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
須藤 政彦 (外1名)
, 須藤 政彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-319082
公開番号(公開出願番号):特開平11-138017
出願日: 1997年11月05日
公開日(公表日): 1999年05月25日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 膨大な比表面積を有する細孔内に酸化チタンを含ませた光触媒シリカゲル、遷移元素の内から選ばれた少なくとも一種の金属またはその酸化物とをシリカゲル細孔内に含ませた光触媒シリカゲル、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 表面に固定された酸化チタン薄膜の平均膜厚が0〜0.4μmの範囲にあり、200°Cで乾燥した状態で0.05〜75重量%の酸化チタンをシリカゲル細孔内に含ませたことを特徴とする光触媒シリカゲル。上記光触媒シリカゲルは、チタンのアルコキシドとアルコールアミン類またはグリコール類から調製したチタニアゾルをシリカゲルに含ませてから、チタンのアルコキシドと相溶性のある洗浄液でシリカゲル表面に付着したチタニアゾルを洗浄した後、加熱焼成する方法などにより製造される。
請求項(抜粋):
表面に固定された酸化チタン薄膜の平均膜厚が0〜0.4μmの範囲にあり、200°Cで乾燥した状態で0.05〜75重量%の酸化チタンをシリカゲル細孔内に含ませたことを特徴とする光触媒シリカゲル。
IPC (5件):
B01J 35/02
, B01D 53/86
, B01J 21/06 ZAB
, B01J 21/08 ZAB
, B01J 37/03
FI (5件):
B01J 35/02 J
, B01J 21/06 ZAB
, B01J 21/08 ZAB
, B01J 37/03 A
, B01D 53/36 H
引用特許: