特許
J-GLOBAL ID：200903091067558066
炭化珪素薄膜構造体およびその作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
関 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-150085
公開番号（公開出願番号）：特開平9-310170
出願日： 1996年05月21日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 高度な表面平坦性を有し機械的強度が高く表面が清浄な炭化珪素薄膜が絶縁体上に形成されている構造を有する炭化珪素薄膜構造体の作製方法を提供する。【解決手段】 平坦な基板21上に炭化珪素薄膜22を堆積させ、基板の一部を除去して開口部23を設けて基板に面している炭化珪素薄膜界面を露出させた上でそれを覆う酸化膜層24を付与し、さらに開口部側の炭化珪素薄膜上の酸化膜層部分を除去して炭化珪素薄膜を露出させることにより、平坦で清浄な炭化珪素薄膜面を有する炭化珪素薄膜構造体20を形成する。さらに、基板開口部の酸化膜層付き炭化珪素薄膜の部分を分離させることにより独立の炭化珪素薄膜構造体を得ることもできる。
請求項（抜粋）：
基板上に炭化珪素薄膜を堆積させ、基板の一部を除去して開口部を設け、基板に面している炭化珪素薄膜界面を露出させ、少なくとも露出した炭化珪素薄膜の一部を覆う酸化膜層を付与し、該酸化膜層のうち基板開口部側の炭化珪素薄膜上に形成した酸化膜層部分を除去して該炭化珪素薄膜を露出させることを特徴とした炭化珪素薄膜構造体の作製方法。
IPC (5件)：
C23C 14/10
, B01J 19/08
, C30B 25/02
, C30B 29/36
, H01L 21/205
C23C 14/10
, B01J 19/08 F
, C30B 25/02 Z
, C30B 29/36 A
, H01L 21/205
