液晶表示装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-211248
公開番号（公開出願番号）：特開平6-059278
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタ(TFT)の半導体シリコン層を多結晶化する際、表示画素TFTのオフ電流を抑制し、駆動回路TFTの移動度を大とする。【構成】絶縁性基板1上に堆積したアモルファスシリコン層のうち、駆動回路を形成する部分5,6を160〜280mJ/cm2 の高エネルギーで、表示画素を形成する部分4を100〜150mJ/cm2 の低エネルギーでレーザ照射する。これにより、駆動回路TFTを構成する半導体層は、表示画素TFTのそれよりも良好な結晶性を得る。【効果】表示画素と駆動回路を同一基板内に形成する場合でも、駆動回路TFTは高移動度特性を、表示画素TFTは低オフ電流特性を満足することができる。

請求項（抜粋）：

複数本の走査線及び信号線を配し、前記走査線及び信号線の交点近傍にスイッチング素子となる薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置の構造において、画像を表示する画素をスイッチングするための第1の複数の薄膜トランジスタと、前記第1の複数の薄膜トランジスタを駆動するための回路を構成する第2の複数の薄膜トランジスタを同一の基板内に具備し、前記第1及び第2の薄膜トランジスタの半導体層を多結晶シリコン層により構成し、かつ前記第1の薄膜トランジスタよりも前記第2の薄膜トランジスタの方がキャリア移動度が大であることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-011989
特開平2-027320
特開平4-133029

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