特許
J-GLOBAL ID：200903091079569659
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039641
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232314
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】非接触形の評価装置による半導体装置の評価に際して、所望の信号を観測できない場合が多く発生するという問題点を解決し、非接触形評価装置による多層配線構造を有する半導体装置の評価、解析を容易にしようとする。【解決手段】多層配線構造を有する半導体装置において、自動配置配線の終了後に、上位に配線層が存在しない領域の一部に、信号を測定しようとする配線層に達するコンタクトホールを形成して、ここに信号測定用電極を設けることにより、評価、解析の容易な半導体装置を提供しようとするものである。この様に、信号を測定しようとする下位配線層上に、測定点として用いる多数の最上層電極を設けて信号測定を容易にし、前記多層配線構造において、より多くの信号を測定することを可能とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの回路素子と、前記回路素子間又は前記回路素子と外部とを電気的に接続する少なくとも2層以上の配線層からなる多層配線構造と、前記多層配線構造の配線層間を相互に接続するコンタクトホールを有する半導体装置において、前記多層配線構造の配線層が上位に存在しない領域の一部に、前記配線層に達するコンタクトホールを設けて、前記配線層の信号測定用電極を形成することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/66
H01L 21/88 S
, H01L 21/66 E
