特許

J-GLOBAL ID：200903091082221647

表面光電圧による半導体表面評価方法及び装置

発明者： 棟方 忠輔 ,  高松 弘行
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所 ,  学校法人東北工業大学
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-235007
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074325
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 簡便で正確に結晶表面を評価できる表面光電圧による半導体表面評価方法及び装置を提供する。【解決手段】 光の透過長が半導体結晶中の少数担体の拡散長より十分に短く結晶表面に形成される空乏層と同程度か又はそれ以下であるレーザ光をArレーザ光源10から出射し、これをパルス発生器13からのパルス信号でAOM11によりパルス光に変調し、このパルス光を半導体結晶(試料ウエハ1)に照射し、発生する表面光電圧を容量結合により透明電極3により検知する。そして、この表面光電圧の減衰時間をもとに前記半導体結晶の表面の結晶特性を評価する。

請求項（抜粋）：

レーザ光をパルス信号でパルス光に変調し、このパルス光を半導体結晶の表面に照射し、発生する表面光電圧を容量結合により検知し、この表面光電圧の減衰時間をもとに前記半導体結晶の表面の結晶特性を評価することを特徴とする表面光電圧による半導体表面評価方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/00 ,  G01N 27/60 ,  G01R 31/302

FI (4件)：

H01L 21/66 L ,  G01N 27/00 Z ,  G01N 27/60 Z ,  G01R 31/28 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-044438
  
• 特開昭64-069024
  
• 特開平4-048628
  
• 特開平3-021038