特許
J-GLOBAL ID：200903091085400151
固体撮像装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-230795
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053628
出願日： 2006年08月28日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】CMOS型の固体撮像装置において、光電変換部から層内レンズまでの層厚を低くして感度の向上を図ると共に、製造工程数の削減を可能にする。【解決手段】光電変換部PDとMOSトランジスタTr1,Tr2で構成される複数の画素50が配列された撮像領域と、複数の画素50の上方に層間絶縁膜61を介して形成された多層のCu配線621〜623を有し、Cu配線の拡散防止膜633を用いて層内レンズ64が形成されて成る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光電変換部とMOSトランジスタで構成される複数の画素が配列された撮像領域と、
前記複数の画素の上方に層間絶縁膜を介して形成された多層のCu配線を有し、
前記Cu配線の拡散防止膜を用いて層内レンズが形成されて成る
ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
4M118AA01
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118DD04
, 4M118DD10
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118FA06
, 4M118FA27
, 4M118FA28
, 4M118FA34
, 4M118FA42
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
