特許

J-GLOBAL ID：200903091087525016

受光素子及び光半導体装置

発明者： 小川 功 ,  岩崎 隆 ,  藤野 吉嗣
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 大胡 典夫 ,  竹花 喜久男 ,  宇治 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-061521
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006694
出願日： 2003年03月07日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】赤外域の感度を抑制し、より高精度に分光感度特性が制御された光半導体装置を提供すること。【解決手段】それぞれ可視光域と赤外域にピーク波長感度を有する2つのフォトダイオードとを備えた受光部7と、それぞれの出力を増幅・演算処理する増幅演算回路8を備えた受光素子10を具備し、受光部7の基板抵抗率、パッケージ厚に対するチップ厚比、受光素子エッジからマウントベッドエッジの距離及び増幅演算処理における引き算倍率係数αを最適化する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

p型基板表面にn型領域が形成され、このn型領域の表面にp型領域が形成されており、前記n型領域と前記p型領域との界面に設けられ、可視光域にピーク波長感度を有する第1のフォトダイオードと、前記p型基板と前記n型領域との界面に設けられ、赤外域にピーク波長感度を有する第2のフォトダイオードを備えた受光部を有する受光素子を具備し、前記p型基板の抵抗率Rが、 1≦R≦3(Ωcm) であることを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01L31/10 ,  H01L31/02

FI (2件)：

H01L31/10 A ,  H01L31/02 B

Fターム (23件)：

5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA10 ,  5F049NB07 ,  5F049QA03 ,  5F049QA07 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ07 ,  5F049UA05 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03 ,  5F088AA02 ,  5F088AB03 ,  5F088BA20 ,  5F088BB06 ,  5F088DA01 ,  5F088DA11 ,  5F088GA04 ,  5F088HA06 ,  5F088KA02 ,  5F088LA01 ,  5F088LA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-058280
  
• 特開昭60-258980