特許
J-GLOBAL ID：200903091091946239
電位検出回路及び半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-309610
公開番号（公開出願番号）：特開平9-145804
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 安定した検出レベルを有し、かつ比較レベルの調整が可能な電位検出回路を得る。【解決手段】 定電流源1は電源Vcc,中間ノードN1間に設けられ、定電流である基準電流IRを電源Vccから中間ノードN1にかけて供給する。可変抵抗2は中間ノードN1,比較電位VL間に設けられ、その抵抗値を可変に設定することができる。この可変抵抗2を流れる電流が比較電流ICとなる。増幅器3は入力部が中間ノードN1に接続され、中間ノードN1より得られる電位を増幅してレベル検出信号GEを出力する。
請求項（抜粋）：
検出電位が所定の検出レベルに達しているか否かを判定する電位検出回路であって、基準電流を供給する基準電流供給手段と、前記検出電位を受け、該検出電位を所定の電流変換率で電流に変換して得られた電流量の比較電流を供給する比較電流供給手段と、前記基準電流供給手段と前記比較電流供給手段との間に、前記基準電流及び前記比較電流のうち、一方の電流が流入し、他方の電流が流出するように設けられた中間ノードと、前記中間ノードに得られる電位に基づきレベル検出信号を出力するレベル検出信号出力手段とを備え、前記比較電流供給手段は前記所定の電流変換率を可変に設定可能であることを特徴とする、電位検出回路。
IPC (4件)：
G01R 31/3185
, G01R 31/28
, G01R 19/165
, G05F 1/10 301
G01R 31/28 W
, G01R 19/165 A
, G05F 1/10 301 A
