特許
J-GLOBAL ID：200903091093250738
半田ボール電極形成方法及びその半田ボール電極形成方法に用いる半田微細球位置決め治具
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007252
公開番号（公開出願番号）：特開平7-212021
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 半田微細球を半導体素子本体に確実かつ容易に取り付ける。【構成】 半導体素子本体16を凹部15aに挿入し半田微細球位置決め治具15の裏面15cを上方に向けた状態で裏面15c上に半田微細球17を多量に流して落とし込み穴15bの内部に半田微細球17を落とし込み、加熱して半導体素子本体16に半田微細球17を接合する。【効果】 複雑な設備を用いなくとも、半田微細球17を確実に、かつ容易に半導体素子本体16の裏面上に形成されたパッド18上に配置することができる。
請求項（抜粋）：
半田微細球を半導体素子本体の接続電極とする半田ボール電極形成方法において、半田濡れのない材料で構成された略平板状の治具であって、表面に前期半導体素子本体を位置決めする凹部を備えると共に、その凹部底面の所定位置に前期半田微細球をその内部に配置することによって前期半田微細球を位置決めする落とし込み穴を備えた半田微細球位置決め治具を用い、前期半導体素子本体を前期凹部に挿入し前期半田微細球位置決め治具の裏面を上方に向けた状態で前期半田微細球を前期落とし込み穴内部に配置する工程と、加熱して前期半導体素子本体に前期半田微細球を接合する工程とを含むことを特徴とする半田ボール電極形成方法。
IPC (2件)：
H05K 3/34 505
, H05K 3/24
