特許

J-GLOBAL ID：200903091093713185

炭素薄膜の製造方法

発明者： 諌山 宗敏 ,  江上 加寿子 ,  国武 豊喜
出願人/特許権者： 福岡県 ,  新技術事業団
代理人 (1件)： 藤井 信行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-111152
公開番号（公開出願番号）：特開平7-315987
出願日： 1994年05月25日
公開日（公表日）： 1995年12月05日
要約：

【要約】【目的】 従来の方法では炭素薄膜を簡易に膜厚、結晶配向を分子レベルで制御した炭素材料を大量に製造することは困難であった。本発明は分子レベルで構造制御が可能な炭素及び黒鉛薄膜を製造することを目的とする。【構成】 層状粘土鉱物に、カチオン基を有する重合物をイオン交換を用いて導入し、重合物の炭素化を行う熱処理を施した後、前記層状粘土鉱物を酸或はアルカリ処理によって抽出することを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

層状粘土鉱物に、カチオン基を有する重合物をイオン交換を用いて導入し、重合物の炭素化を行う熱処理を施した後、前記層状粘土鉱物を酸或はアルカリ処理によって抽出することを特徴とする炭素薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/02 ,  C01B 31/02 101 ,  C01B 31/04 101 ,  C23C 20/06 ,  C30B 29/68 ,  C30B 33/02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-141813
  
• 特開昭61-201606
  
• 特開平1-141813
  
• 特開昭61-201606