特許
J-GLOBAL ID：200903091098822837
中間体吸収を利用したレーザ・アブレーシヨン微細加工法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-176469
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021305
出願日： 1991年07月17日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 レーザ・アブレーション現象を利用した微細加工法においてホトマスクの利用を可能とする方法を提供する。【構成】 紫外-可視領域に強い中間体吸収(一重項-一重項吸収、三重項-三重項吸収、ラジカル種の吸収など)を持つ有機分子を側鎖に持つ、あるいはこの有機分子をドープした高分子をレジスト材料とし、ホトマスクを用いてフラッシュランプを照射して照射部位の有機分子のみを励起中間体状態とし、この中間体吸収と一致したレーザ光を側面からフラッシュランプと同期して照射することにより露光部分のみをアブレーション除去する、従来用いられているホトマスクの利用を可能にしたレーザ・アブレーション微細加工法。
請求項（抜粋）：
(1) 光照射により紫外-可視領域に一重項-一重項吸収、三重項-三重項吸収、ラジカル種の吸収などの中間体吸収を示す有機分子を側鎖に持つ高分子、あるいはこの有機分子をドープした高分子をレジスト材とし、(2) これに、ホトマスクを用いてフラッシュランプを照射することにより、照射部位の有機分子のみを中間体状態とし、(3) 中間体状態有機分子の中間体吸収と一致したレーザ光を側面からフラッシュランプと同期して照射することにより、露光部分のみをアブレーション除去する微細加工法
IPC (7件)：
H01L 21/027
, G03F 7/004 501
, G03F 7/027 502
, G03F 7/031
, G03F 7/20 505
, G03F 7/20 521
, G03F 7/36
H01L 21/30 321
, H01L 21/30 361 N
