特許

J-GLOBAL ID：200903091100472580

固体撮像装置

発明者： 鈴木 亮司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-074392
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274462
出願日： 1998年03月23日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 MOS撮像装置におけるセンサー部から信号電荷が、低い読み出し電圧で完全に読み出せないことの改善を図る。【解決手段】 光電変換領域20を有するセンサー部Sと、このセンサー部Sから信号電荷を読み出す絶縁ゲートトランジスタMOSとを有する複数の単位画素が配列された構成において、センサー部Sの光電変換領域は、信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪みを形成する構成とし、絶縁ゲートトランジスタMOSのゲート電極18を、そのチャネル幅方向の中間部が、ポテンシャルの窪みの中心部上もしくはその近傍上に位置するパターンに形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体領域に、第2導電型の第1の半導体領域が形成され、その表面に第1導電型の高不純物濃度層が形成された光電変換領域を有するセンサー部と、該センサー部から信号電荷を読み出す絶縁ゲートトランジスタとを有する複数の単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、上記センサー部の上記光電変換領域は、信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪みを形成し、上記絶縁ゲートトランジスタのゲート電極は、そのチャネル幅方向の中間部が、上記ポテンシャルの窪みの中心部上もしくはその近傍上に位置するパターンに形成されたことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-198756
  
• 特開昭58-015280
  
• 特開平2-030183