特許

J-GLOBAL ID：200903091104643885

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 山口 栄次 ,  渡邊 祐二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-003447
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200018
出願日： 1997年01月13日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子に接合する放熱部材の放熱性と接続信頼性とを向上させる。【解決手段】 半導体集積回路が形成された半導体素子1を支持するBGA基板2と、半導体素子1とBGA基板2との接合部4を封止する封止樹脂5と、半導体素子1の背面1aに接合する素子接合部6bが形成された凹部6aを備えるとともに、一端6dを凹部6aの素子接合部6bの近傍に開口しかつ他端6eを外部7に開口する貫通孔6cが設けられた放熱体6とからなり、半導体素子1とBGA基板2との接合部4に封止樹脂5を供給する際に、貫通孔6cを介して封止樹脂5の供給を行う。

請求項（抜粋）：

半導体素子を搭載してなる半導体集積回路装置であって、前記半導体素子を支持する素子搭載基板と、前記半導体素子と前記素子搭載基板との接合部を封止する封止樹脂と、前記半導体素子の背面に接合する素子接合部が形成された凹部を備えるとともに、一端を前記凹部の素子接合部の近傍に開口しかつ他端を外部に開口する貫通孔が設けられた放熱部材とを有し、前記半導体素子と前記素子搭載基板との接合部に前記封止樹脂を供給する際に、前記貫通孔を介して前記封止樹脂の供給が行われることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 23/36 A ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/02 G ,  H01L 23/12 L