特許
J-GLOBAL ID：200903091106902667
半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180258
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007131
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 樹脂封止後の基板と金型との離型性に優れ、このため金型のクリーニング作業をほとんど要しない半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、金型100を開いて、第1および第2の金型102、104のそれぞれのキャビティ形成面102a、116aを含む分割面102b、118bに離型シート150a、150bを配設する離型シート配設工程と、離型シート150b上に、電極が設けられた複数の半導体素子形成面を第2の金型102に向けて基板152を配置する基板配置工程と、基板152上に封止樹脂154を供給する工程と、金型100を加熱した状態で閉じて加圧し、基板152の電極を樹脂封止して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、金型100を開いて、樹脂封止された152基板を取り出す基板取り出し工程と、離型シート150a、150bを剥離した後、基板152を半導体装置単位に分割する分割工程と、を有する。
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子が形成された基板を、第1のキャビティ形成面を有する第1の金型と第2のキャビティ形成面を有する第2の金型とからなる分割金型を用いて圧縮成形法によって樹脂封止した後、該基板を半導体装置単位に分割する半導体装置の製造方法において、該分割金型を開いて、該第1および第2のキャビティ形成面を含む分割面にそれぞれ第1および第2の離型シートを配設し、該第1および第2の離型シートは該第1および第2のキャビティ形成面を含む分割面に設けられた複数の円周状の吸引部を介して真空源によって吸引され、少なくとも該第1および第2のキャビティ形成面に密接される離型シート配設工程と、該第1のキャビティ形成面の該第1の離型シート上に該基板を配置する基板配置工程と、該分割金型を閉じて該基板上に供給する封止用の樹脂を圧縮成形法を用いて封止して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、該分割金型を開いて該樹脂層が形成された該基板を取り出すと共に、該第1および第2の離型シートを剥離する基板取り出し工程と、該基板を該半導体装置単位に分割する分割工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/56
, B29C 43/18
, B29C 43/34
, B29L 31:34
H01L 21/56 T
, B29C 43/18
, B29C 43/34
4F204AA00
, 4F204AD19
, 4F204AD35
, 4F204AG03
, 4F204AH37
, 4F204FA01
, 4F204FF01
, 4F204FF06
, 4F204FN20
, 4F204FQ40
, 4F204FW21
, 5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA21
, 5F061CB13
, 5F061DA01
, 5F061DA06
