特許

J-GLOBAL ID：200903091112253760

磁気ランダム・アクセス・メモリ及びその磁気情報書き込み方法

発明者： 中尾 宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346111
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151660
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 磁気ランダム・アクセス・メモリ及びその磁気情報書き込み方法に関し、MRAMのセル・サイズとして最小サイズである4F2 を採りながら、ピンド層及びフリー層共に最も安定な方向に磁化することを可能にして、磁気情報の保持特性を良好に維持できるようにする。【解決手段】 上下に位置して交差するワード線WL及びビット線BLの間に積層形成されたフリー層、絶縁層、ピンド層を含む磁性トンネル接合Jを備え、磁性トンネル接合Jに於けるフリー層及びピンド層は平面に於いて正方形をなし且つピンド層の磁化方向HP が対角線方向に固定されている。

請求項（抜粋）：

上下に位置して交差するワード線及びビット線の間に積層形成された少なくとも磁性層からなるフリー層及び絶縁層及び磁性層からなるピンド層を含む磁性トンネル接合を備え、該磁性トンネル接合に於ける少なくともフリー層及びピンド層は平面に於いて正方形をなし且つピンド層の磁化方向が対角線方向に固定されてなることを特徴とする磁気ランダム・アクセス・メモリ。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA35 ,  5F083JA37 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40