特許
J-GLOBAL ID：200903091113134470
絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-335553
公開番号（公開出願番号）：特開平8-242004
出願日： 1991年05月16日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【課題】 少ないマスク数でTFTを作製する。【解決手段】 TFTの構造において、ゲイト電極の側面にはゲイト電極を構成する材料の陽極酸化膜が設けられ、ソース、ドレイン領域に接続する電極は前記ソース、ドレイン領域の上面と側面に接しており、前記ソース、ドレインに接続された電極は前記ゲイト電極の上方に設けられた絶縁膜の上方にまでわたって延在している構造を持ち、その作製工程においては3枚のマスクで完成できる絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法。
請求項（抜粋）：
(a)絶縁表面を有する基板上に一対の島状の半導体層を形成する工程と、(b)前記島状の半導体層上にゲイト絶縁膜を介してゲイト電極を形成する工程と、(c)前記ゲイト電極を陽極酸化し、前記ゲイト電極の少なくとも側面に陽極酸化膜を形成する工程と、(d)前記ゲイト電極と前記陽極酸化膜とをマスクとして前記一対の島状の半導体層の一部に第1導電型の不純物を導入し、前記半導体層中に第1導電型の一対の不純物領域を形成する工程と、(e)前記ゲイト電極の形成された一対の島状の半導体層の一方を覆うようにマスクを形成する工程と、(f)前記ゲイト電極と前記陽極酸化膜とをマスクとして前記一対の島状の半導体層の他方の半導体層の一部に第2導電型の不純物を導入し、第2導電型の一対の不純物領域を形成する工程とを有し、前記チャネル領域はそれぞれの前記半導体層の前記一対の不純物領域にはさまれて形成され、前記チャネル領域と前記一対の不純物領域との境界が前記ゲイト電極の側面に形成された前記陽極酸化膜の外端部とほぼ一致するよう配置することを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 617 W
, H01L 29/78 616 M
