特許

J-GLOBAL ID：200903091113201577

埋込み電界整形領域を有する高電圧終端

発明者： リチャード エイ. ブランチャード
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス, インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-354748
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209451
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 プレーナ拡散技術を使用して製造した半導体装置の接合のブレークダウン電圧を増加させる技術を提供する。【解決手段】 本発明半導体装置は、第一導電型の基板内に完全に埋込まれているフィールド形成領域を有しており、該フィールド形成領域は基板の表面に形成されているデバイス領域から離隔され且つその下側に位置している。該フィールド形成領域はデバイス領域から所定の距離に位置しており、従って基板とデバイス領域との間に第一電圧を印加した場合にデバイス領域とフィールド形成領域との間に空乏領域が発生される。更に、第一電圧より大きな第二電圧を印加した場合には、空乏領域はフィールド形成領域を取囲んで拡大され、従ってフィールド形成領域が存在しなかった場合に形成されるであろう空乏領域の曲率半径よりもより大きな曲率半径を得ることを可能としている。

請求項（抜粋）：

半導体装置において、第一導電型の基板、前記基板内の第二導電型のデバイス領域、前記基板内の第二導電型の領域であって、前記デバイス領域から離隔されており且つその下側の所定の深さに前記基板内に完全に埋込まれている領域、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/861

FI (5件)：

H01L 29/78 652 P ,  H01L 21/76 M ,  H01L 27/06 101 B ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/91 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-180164
  
• 特開昭57-180164