特許

J-GLOBAL ID：200903091117236537

高シリカモレキュラシーブCHA

発明者： ユエン、レン - テ
出願人/特許権者： シェブロン ユー.エス.エー. インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  浅野 裕一郎 ,  安藤 克則
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-543072
公開番号（公開出願番号）：特表2008-521744
出願日： 2005年10月25日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

CHA結晶構造を有する高シリカモレキュラシーブを、1-アダマンタンアミン、3-キヌクリジノール又は2-エキソ-アミノノルボルナンから誘導されたカチオンを有する構造規定剤を用いて合成するための方法を開示する。合成は、フッ素が存在しない状態で実施する。

請求項（抜粋）：

CHA結晶構造を有し、(1)酸化ケイ素、酸化ゲルマニウム及びこれらの混合物の(2)酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化チタン、酸化ガリウム及びこれらの混合物に対するモル比が50:1を超えるモレキュラシーブを調製するための方法であって、 A.モル比で表して以下の範囲に入る組成: YO2/WaOb 220〜∞ OH-/YO2 0.19〜0.52 Q/YO2 0.15〜0.25 M2/nO/YO2 0.04〜0.10 H2O/YO2 10〜50 [式中、Yはケイ素、ゲルマニウム又はこれらの混合物であり、Wはアルミニウム、鉄、チタン、ガリウム又はこれらの混合物であり、aは1又は2であり、aが1の場合、bは2であり、又はaが2の場合、bは3であり;Mはアルカリ金属又はアルカリ土類金属であり、nはMの原子価であり、Qは1-アダマンタンアミン、3-キヌクリジノール又は2-エキソ-アミノノルボルナンから誘導されるカチオンである。]を含む水性反応混合物を形成すること,及び B.前記水性混合物を、結晶が形成されるまで、十分な結晶化条件下で維持すること を含む方法。

IPC (4件)：

C01B 39/48 ,  B01J 29/70 ,  B01D 53/94 ,  B01J 31/02

FI (6件)：

C01B39/48 ,  B01J29/70 A ,  B01J29/70 Z ,  B01D53/36 102D ,  B01J31/02 102A ,  B01J31/02 102Z

Fターム (93件)：

4D048AA06 ,  4D048AB02 ,  4D048BA11X ,  4D048BA16Y ,  4D048BA18Y ,  4D048BA25Y ,  4D048BA28Y ,  4D048BA30Y ,  4D048BA31Y ,  4D048BA33Y ,  4D048BA35Y ,  4D048BA36Y ,  4D048BA37Y ,  4D048BA38Y ,  4D048BB02 ,  4G073BA01 ,  4G073BA08 ,  4G073BA17 ,  4G073BA20 ,  4G073BA28 ,  4G073BA32 ,  4G073BA36 ,  4G073BA41 ,  4G073BA44 ,  4G073BA45 ,  4G073BA46 ,  4G073BA48 ,  4G073BA52 ,  4G073BA57 ,  4G073BA58 ,  4G073BA63 ,  4G073BA64 ,  4G073BB48 ,  4G073BD01 ,  4G073BD11 ,  4G073CZ17 ,  4G073FA11 ,  4G073FB11 ,  4G073FB21 ,  4G073FC03 ,  4G073FC12 ,  4G073FC25 ,  4G073GA01 ,  4G073GA03 ,  4G073UA02 ,  4G073UA03 ,  4G073UA05 ,  4G169AA01 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA12 ,  4G169BA07A ,  4G169BA07B ,  4G169BC01A ,  4G169BC08A ,  4G169BC16A ,  4G169BC17A ,  4G169BC23A ,  4G169BC31A ,  4G169BC35A ,  4G169BC42A ,  4G169BC50A ,  4G169BC58A ,  4G169BC62A ,  4G169BC66A ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BC70A ,  4G169BC71A ,  4G169BC72A ,  4G169BC75A ,  4G169BD01A ,  4G169BD04A ,  4G169BD06A ,  4G169BE17A ,  4G169CA03 ,  4G169CA08 ,  4G169CA13 ,  4G169CB25 ,  4G169CB77 ,  4G169EA18 ,  4G169FB15 ,  4G169FC07 ,  4G169FC08 ,  4G169ZA14A ,  4G169ZA14B ,  4G169ZB03 ,  4G169ZB04 ,  4G169ZB08 ,  4G169ZB09 ,  4G169ZC02 ,  4G169ZC04 ,  4G169ZD03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-092221
  
• 特開昭62-202814
  
• 特表平4-504561
  
• 特表平5-500352
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Synthesis and structure of pure SiO2 chabazite: the SiO2 polymorph with the lowest framework density