特許
J-GLOBAL ID:200903091117866298

シリコンの精製方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-060093
公開番号(公開出願番号):特開平5-262512
出願日: 1992年03月17日
公開日(公表日): 1993年10月12日
要約:
【要約】【目的】 冶金用シリコンを原料として、ボロン、鉄、アルミニウムの含有量の低い太陽電池用高純度シリコンを一工程で安価に製造する精製方法の提供。【構成】 溶融した金属シリコンの上部から水蒸気と塩化水素を添加したプラズマガスを照射するか、必要によりプラズマガスに塩化ナトリウム粉末をさらに添加し、さらに必要により処理後のシリコンを一方向凝固させる。
請求項(抜粋):
溶融したシリコン表面に熱プラズマを照射するときに、プラズマガスに水蒸気および塩化水素を添加することを特徴とするシリコンの精製方法。
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開平4-136411

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