特許
J-GLOBAL ID：200903091118974051
紫外線消去型不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064459
公開番号（公開出願番号）：特開平5-266700
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】ボンディングパッドを傷めることなくメモリセルアレイのメモリセルの消去確認及び諸特性の測定を直接行えるようにする。【構成】メモリセルアレイ1内のメモリセルMC1,MCxのゲートと接続するワード線WL1,WLw、ドレインと接続するディジット線DLk、及びソースと接続する共通接地線とそれぞれ対応して接続するパッドPDw1,PDwx,PDd,PDgを設ける。これらパッドにより消去確認,特性測定を行う。
請求項（抜粋）：
行方向,列方向にマトリクス状に配列され浮遊ゲート型トランジスタで形成された紫外線消去型の複数のメモリセル、これら各メモリセルのゲートに各行ごとに接続する複数のワード線、前記各メモリセルのソースと共通接続する共通接続線、及び前記各メモリセルのドレインに各列ごとに接続する複数のディジット線を備えたメモリセルアレイと、前記複数のワード線のうちの所定のワード線と接続する試験用の第1のパッドと、前記複数のディジット線のうちの所定のディジット線と接続する試験用の第2のパッドと、前記共通接続線と接続する試験用の第3のパッドとを有することを特徴とする紫外線消去型不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 29/00 303
, G11C 16/06
, H01L 27/102
G11C 17/00 309 E
, H01L 27/10 435
