特許

J-GLOBAL ID：200903091120870034

光半導体装置およびその製造方法

発明者： 倉掛 博英
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-049723
公開番号（公開出願番号）：特開平6-265741
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 縦型方向性結合器に関し,結合長を厳密制御を目的とする。【構成】 1)上下に導波路を有する縦型方向性結合器であって,該上下の導波路間に使用光に対して透明領域と吸収領域とを有するバッファ層が存在する,2)基板 1上に下側クラッド層 2, 下部導波路 3, 下部導波路の上側クラッド層4を順に成長し, 上側クラッド層上に,該下部導波路を含んだ領域がストライプ状に開口され,開口部の両側に導波路に垂直な方向のストライプ幅が大きい領域と小さい領域を有する選択成長マスク 9を形成し,バッファ層 5を成長し,該選択成長マスクを除去し,該バッファ層を覆って, 該基板上に上部導波路の下側クラッド層 6, 上部導波路 7 ,上部導波路の上側クラッド層 8を順に成長し,該開口幅より小さくなるように,上側クラッド層より少なくとも該バッファ層まで導波路方向に沿ってストライプ状に加工する工程とを有するように構成する。

請求項（抜粋）：

結合器を構成する2つの導波路が上下に積層された縦型方向性結合器であって,該上下の導波路間に使用光に対して透明領域と吸収領域とを有するバッファ層が存在することを特徴とする光半導体装置。