特許

J-GLOBAL ID：200903091120906403

配線形成方法

発明者： 鈴木 説男
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-229776
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074760
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置製造等において、アスペクト比の大きい接続孔の埋め込みも良好に行え、工程が簡略で、コスト的に有利で、単独の配線形成材料での配線形成も可能な配線形成方法を提供する。【解決手段】 アルミニウム系材料等の配線形成材料2を成膜することにより接続孔1を該材料で埋め込む際、配線形成材料の成膜と、接続孔の埋め込み特性を向上させる処理(高温リフロー法、高圧リフロー法その他)とを、交互に複数回繰り返す配線形成方法。

請求項（抜粋）：

配線形成材料を成膜することにより接続孔を該材料で埋め込む工程を備える配線の形成方法において、上記配線形成材料の成膜と、上記接続孔の埋め込み特性を向上させる処理とを、交互に複数回繰り返すことを特徴とする配線形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 D