特許

J-GLOBAL ID：200903091124895910

GaAs単結晶の製造方法

発明者： 小廣 健司 ,  野田 朗
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-064219
公開番号（公開出願番号）：特開平10-259100
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】 液体封止剤であるB2 O3 を使用したVGF法及びVB法において、シリコンのドープ量を精度よく制御することができ、例えばシリコンのドープ量が1018cm-3以上のn型低転位密度GaAs単結晶を歩留り良く製造することができるGaAs単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 所定量のシリコンが添加されたGaAs原料融液5を、予めシリコン濃度に換算して総量で5重量%を超える量のシリコン酸化物やケイ酸化合物が添加されたB2 O3 よりなる液体封止剤6で封止しながら、結晶を成長させる。

請求項（抜粋）：

予めB2 O3 に、シリコン酸化物もしくはケイ酸化合物を、シリコン濃度に換算して5重量%を超える量、またはシリコン酸化物及びケイ酸化合物を、それら両方を合わせてシリコン濃度に換算して5重量%を超える量を添加してなる液体封止剤を作製し、該液体封止剤をGaAs原料と、SiまたはSiを構成元素として含む化合物よりなる所定量のドーパントとともにるつぼに入れ、そのるつぼを気密容器内に封入し、その気密容器を縦型の加熱炉内に設置して前記液体封止剤、前記原料及び前記ドーパントをヒータにより加熱して融液とした後、その融液を所定の温度勾配下で徐々に冷却して固化させることにより所定濃度のシリコンがドープされてなるGaAs単結晶を成長させることを特徴とするGaAs単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/42 ,  C30B 11/00 ,  C30B 29/40 501

FI (3件)：

C30B 29/42 ,  C30B 11/00 Z ,  C30B 29/40 501 C