特許
J-GLOBAL ID:200903091125078827

液晶表示装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梅田 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-141683
公開番号(公開出願番号):特開平9-325358
出願日: 1996年06月04日
公開日(公表日): 1997年12月16日
要約:
【要約】【課題】 製造プロセスの増加を最小限に抑えながら、開口率の向上・付加容量の形成をおこない表示品位を向上させた液晶表示装置を提供する。また、配線を細く形成しても断線しにくい様な構造の液晶表示装置を提供する。【解決手段】 基板上に、ソース配線とゲート配線が互いに交差するよう形成され、その交差部近傍に薄膜トランジスタが形成され、ソース配線とゲート配線とで囲まれた領域に、薄膜トランジスタと接続された画素電極が形成された液晶表示装置において、ソース配線およびゲート電極を形成する第1の導電膜と、第1の配線より上層に形成されるゲート配線を形成する第2の陽極酸化可能な金属と、前記ソース配線およびゲート配線と画素電極が重畳している。
請求項(抜粋):
基板上に、ソース配線とゲート配線が互いに交差するよう形成され、前記交差部近傍に薄膜トランジスタが形成され、少なくとも前記ソース配線と前記ゲート配線とで囲まれた領域に、前記薄膜トランジスタと接続された画素電極が形成された液晶表示装置において、前記ソース配線が、前記ゲート配線よりも下層で該ゲート配線と交差しており、前記ゲート配線が、該ゲート配線を形成する材料の酸化膜により被覆されており、前記画素電極が、前記ソース配線または前記ゲート配線と少なくとも一部重畳していることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (2件):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786
FI (2件):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 C

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