特許
J-GLOBAL ID:200903091125389180
エッジ強調処理方法及びその装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小泉 雅裕 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-034003
公開番号(公開出願番号):特開平6-233130
出願日: 1993年02月01日
公開日(公表日): 1994年08月19日
要約:
【要約】【目的】 出力画像を再入力して同一処理を繰り返したとしても、画像の劣化を有効に抑えることができ、更に加えて、処理効率を向上させると共にエッジ強調画素を正確に選択できるようにした。【構成】 特徴画素抽出手段1にて濃度変化の大きなエッジ画素部分に対応するエッジ特徴画素TDE及び濃度勾配のある画素部分の濃度勾配を表す濃度勾配特徴画素TDNを抽出し、エッジ強調画素選択手段3にて特徴画素TDE,TDNの性質を参照しながら、エッジ強調の必要なエッジ強調画素を選択し、傾斜可変エッジ強調処理手段4にて選択されたエッジ強調画素が立ち下がり画素であれば当該画素近傍の画素の階調レベルを超えずに、あるいは、立ち上がり画素であれば当該画素近傍の画素の階調レベル未満に低下させない条件下で、エッジ強調画素のエッジの立ち上がり及び立ち下がり画素間の傾斜を元の傾斜よりも急傾斜に変化させる。
請求項(抜粋):
量子化された多階調画像データに対してエッジ強調処理を施すに際し、多階調画像データからエッジ強調の必要な画素を選択した後、選択されたエッジ強調画素が立ち下がり画素であれば当該画素近傍の画素の階調レベルを超えずに、あるいは、エッジ強調画素が立ち上がり画素であれば当該画素近傍の画素の階調レベル未満に低下させない条件下で、エッジ強調画素のエッジの立ち上がり及び立ち下がり画素間の傾斜が元の傾斜よりも急傾斜に変化する傾斜可変エッジ強調処理を施すようにしたエッジ強調処理方法。
IPC (3件):
H04N 1/40 101
, G06F 15/68 405
, G06F 15/70 335
引用特許:
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