特許
J-GLOBAL ID：200903091126691875
ヘテロエピタキシャル成長法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-011203
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094429
出願日： 1994年02月02日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 格子不整の存在する異種結晶間のエピタキシャル成長において、界面欠陥密度を低減化した成長法を得る。【構成】 ヘテロエピタキシャル成長法およびデバイスであって、望ましくはYで安定化されたジルコニア、MgAl2 O4 、Al2 O3 、3C-SiC、6H-SiC、あるいはMgOである単結晶セラミック基板20が、本質的に平坦な表面を作り出すように軸を約1.0ないし約10度ずらして切り出され、研磨される。原子が表面上で再配置され、少なくとも3格子間隔の表面ステップ22が形成される。望ましくはAlNまたはGaNであるセラミックの付加的なエピタキシャル成長バッファー層を基板上に形成してもよい。望ましくはSiCである半導体層24が、基板の上に、バッファー層が使用された時にはバッファー層の上に成長される。
請求項（抜粋）：
ヘテロエピタキシャル成長法であって、次の工程:(a)単結晶セラミック基板を、軸を約1.0ないし約10度ずらして切り出し、本質的に平坦な表面になるように研磨すること、(b)前記表面上で原子を再配置させて、少なくとも3格子間隔の表面ステップを作製すること、および(c)前記基板を覆って半導体の層を成長させること、を含む方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/18
, C30B 33/06
