高耐圧半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-285245
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100593
出願日： 2004年09月29日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】コストの低減化を図れる、基板材料としてSiCを用いた高耐圧半導体装置を提供すること。【解決手段】高耐圧半導体装置は、法線の方向が<0001>方向および<000-1>方向とは異なる主面を備えた炭化珪素基板1と、炭化珪素基板2上に形成された第1導電型の炭化珪素層2と、炭化珪素層2の表面に形成され、<0001>方向および<000-1>方向に対する主面のオフ角方向の幅の方が、オフ角方向と反対側の幅よりも広い第2導電型の半導体層3を含む接合終端領域JTEと、炭化珪素層3に設けられた第1の電極6と、炭化珪素基板2に設けられた第2の電極とを備えている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

法線の方向が<0001>方向および<000-1>方向とは異なる主面を備えた炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板上に形成された第1導電型の炭化珪素層と、前記炭化珪素層の表面に形成され、前記<0001>方向および前記<000-1>方向に対する前記主面のオフ角方向の幅の方が、前記オフ角方向と反対側の幅よりも広い第2導電型の半導体層を含む接合終端領域と、前記炭化珪素層に設けられた第1の電極と、前記炭化珪素基板に設けられた第2の電極とを具備してなることを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 29/78 , H01L 29/06 , H01L 29/12 , H01L 29/739

FI (6件)：

H01L29/48 D , H01L29/78 652N , H01L29/78 652P , H01L29/78 652T , H01L29/78 655F , H01L29/48 F

Fターム (8件)：

4M104AA03 , 4M104BB14 , 4M104CC03 , 4M104FF31 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104GG18 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第4912064号明細書

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