特許
J-GLOBAL ID：200903091141301579
外部電界を利用して電子放出を活性化させた冷陰極電子放出素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033394
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312457
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上部に一つまたは複数の活性領域を形成させて製作した後、外部電界により反転層を形成させ、この反転層での電子なだれ降伏現象により多数の電子を放出させる原理で駆動する。【解決手段】 本発明による冷陰極電子放出素子は、前記電子放出素子の基礎となる第1タイプの基板と、所定の配列形態を持つように前記基板上部に形成された少なくとも一つの第1タイプの活性領域と、前記活性領域から離隔されるように前記活性領域の周囲で、前記活性領域を囲むように前記基板上部に形成された第2タイプの接触領域と、前記接触領域と電気的に絶縁された状態で前記接触領域上部に形成されたゲート領域とを含む、前記ゲート領域及び前記基板間に加えられた電圧により、前記活性領域の上部を中心に第2タイプの反転領域が電気的に形成される。
請求項（抜粋）：
電子を放出させるための冷陰極電子放出素子において、前記電子放出素子の基礎となる第1タイプの基板と、所定の配列形態を持つように前記基板上部に形成された少なくとも一つの第1タイプの活性領域と、前記活性領域から離隔されるように前記活性領域の周囲で、前記活性領域を囲むように前記基板上部に形成された第2タイプの接触領域と、前記接触領域と電気的に絶縁された状態で前記接触領域上部に形成されたゲート領域とを含み、前記ゲート領域及び前記基板間に加えられた電圧により、前記活性領域の上部を中心に第2タイプの反転領域が電気的に形成される冷陰極電子放出素子。
IPC (3件)：
H01J 1/30
, H01J 29/04
, H01J 31/12
H01J 1/30 S
, H01J 29/04
, H01J 31/12 C
