特許
J-GLOBAL ID:200903091151672788
デバイスの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三俣 弘文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-313795
公開番号(公開出願番号):特開平10-171110
出願日: 1997年11月14日
公開日(公表日): 1998年06月26日
要約:
【要約】【課題】 デバイス製造のためのリソグラフィ方法及びこの方法で使用するためのエネルギー感受性材料を提供する。【解決手段】 エネルギー感受性材料層を基板表面に形成する。220nm〜300nmの範囲内の波長の輻射線を用いてエネルギー感受性材料層中にパターン画像を描写する。その後、パターンを現像する。レジスト内にパターンを現像した後、これを下部の基板に転写する。レジスト材料はアセタール又はケタール酸感受性成分を有するポリマーと共に、光酸生成剤を含有する。光酸生成剤は、前記範囲内の波長の輻射線に暴露されると、pKaが2以下の酸を放出する。
請求項(抜粋):
(i)エネルギー感受性レジスト材料層を基板上に形成するステップと、(ii)パターン毎に、約220nm〜約300nmの範囲内の輻射線を照射することにより、エネルギー感受性レジスト材料内にパターン画像を描写するステップと、(iii)画像をパターンに現像するステップと、(iv)パターンを下部の基板に転写するステップとからなり、前記エネルギー感受性レジスト材料は、?@ポリマー主鎖部分中に組込まれた、下記の化1【化1】(式中、Zは酸により化学変化を起こしやすいアセタール又はケタール成分である)で示される酸感受性ポリマーと、?A下記の化2【化2】(式中、Rはメチル、エチル及びプロピルからなる群から選択される低級アルキル基であり、Xは、輻射線に暴露されたときにアリールスルホネート成分により分解する発色団である)で示される構造を有し、pKaが約2以下のスルホン酸を生成するエネルギー感受性化合物と、?B窒素含有塩基とからなることを特徴とするデバイスの製造方法。
IPC (4件):
G03F 7/004 503
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
FI (4件):
G03F 7/004 503 A
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
引用特許: