特許
J-GLOBAL ID：200903091158636612
基板処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-051746
公開番号（公開出願番号）：特開2005-235792
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】酸化膜をラジカル窒化して酸窒化膜に変換する際に、酸窒化膜とシリコン基板との界面領域近傍に形成されるダングリングボンドを終端し、フラットバンド特性を回復させる。【解決手段】酸化膜をマイクロ波ラジカル窒化して酸窒化膜に変換する工程に引き続き、マイクロ波ラジカル酸化処理を行い、原子状酸素を酸窒化膜に脅威球し、シリコン基板と酸窒化膜界面領域近傍のダングリングボンドを終端する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
シリコン基板上の酸化膜表面を、窒素ラジカルを供給することにより窒化し、酸窒化膜を形成する工程と、
前記酸窒化膜を形成する工程の後、前記酸窒化膜表面に酸素ラジカルを供給する工程とよりなることを特徴とする基板処理方法。
IPC (3件)：
H01L21/318
, H01L21/02
, H01L29/78
H01L21/318 C
, H01L21/02 Z
, H01L29/78 301G
5F058BD01
, 5F058BD03
, 5F058BD15
, 5F058BF73
, 5F058BF74
, 5F058BJ01
, 5F140AA06
, 5F140BA01
, 5F140BD01
, 5F140BD09
, 5F140BE07
, 5F140BE08
, 5F140BE13
