特許

J-GLOBAL ID：200903091161461459

絶縁膜、その形成方法、その絶縁膜を用いた半導体素子および液晶ディスプレイ

発明者： 小泉 真澄 ,  蒋 一超 ,  坂田 美和 ,  伊東 敏雄
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-013309
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221085
出願日： 1994年02月07日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 ポリシロキサン誘導体から形成された酸化膜からなる絶縁膜であって、横方向の電気抵抗の大きな絶縁膜の提供。【構成】 アルコキシ基を具えたポリシロキサン誘導体としてのポリ(ジ-t-ブトキシシロキサン)、酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムトリフレートとをモノクロロベンゼンに溶解して塗布液を調製する。次に、この塗布液を回転塗布し、5分間全面露光し、100°Cで2分間加熱して酸化膜を得る。次に、酸化膜の形成された基板をHMDS(ヘキサメチルジシラザン)のベーパー中に2分間保持してシランカップリング処理を行って絶縁膜を得る。この絶縁膜の横方向の抵抗率を測定したところ1011Ω・cmとなり、処理を行わない場合に比べて抵抗率が約2桁増大した。

請求項（抜粋）：

下記の(1)および(2)式に示す少なくとも一方のアルコキシ基を具えたポリシロキサン誘導体と酸発生剤とを含む樹脂組成物から形成された酸化膜からなる絶縁膜であって、シランカップリング剤により表面処理された絶縁膜であることを特徴とする絶縁膜。【化1】但し、R1 、R2 、R3 およびR4 はアルキル基を表し、それぞれ互いに同一でも異なっても良い。また、mおよびnはそれぞれ重合度を表す。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316