結晶欠陥の自動検査装置及び自動検査方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-128345
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324136
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】自動運転を可能にして作業者の負担を軽減するとともに、検査結果にバラツキが生じず高精度にかつ安定して半導体結晶の結晶欠陥を検査することができる結晶欠陥の自動検査方法及び自動検査装置を提供する。【解決手段】半導体結晶の結晶欠陥を自動で検査する方法であって、前記半導体結晶をチョクラルスキー(CZ)法またはフローティングゾーン法(FZ法)により育成し、該半導体単結晶をスライスして半導体ウエーハを作製し、得られた半導体ウエーハに選択エッチングを施して半導体ウエーハの表面に放物線模様の欠陥(FPD)を出現させた後、該半導体ウエーハの表面を撮像して画像データを得て、該画像データに画像処理を行って画像データ上の放物線模様の欠陥(FPD)を独立した放物線に変換し、該独立した放物線を自動判別して結晶欠陥を定量化することを特徴とする結晶欠陥の自動検査方法。

請求項（抜粋）：

半導体結晶の結晶欠陥を自動で検査する方法であって、育成された半導体単結晶をスライスして半導体ウエーハを作製し、得られた半導体ウエーハに選択エッチングを施して半導体ウエーハの表面に放物線模様の欠陥(FPD)を出現させた後、該半導体ウエーハの表面を撮像して画像データを得て、該画像データに画像処理を行って画像データ上の放物線模様の欠陥(FPD)を独立した放物線に変換し、該独立した放物線を自動判別して結晶欠陥を定量化することを特徴とする結晶欠陥の自動検査方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 , G01N 21/956 , G06T 1/00 300 , G06T 3/00 500 , G06T 7/00 300

FI (6件)：

H01L 21/66 J , H01L 21/66 N , G01N 21/956 A , G06T 1/00 300 , G06T 3/00 500 A , G06T 7/00 300 F

Fターム (32件)：

2G051AA51 , 2G051AB02 , 2G051CA04 , 2G051CB01 , 2G051DA03 , 2G051EA12 , 2G051ED22 , 4M106AA01 , 4M106CA39 , 4M106CB19 , 4M106CB20 , 4M106CB30 , 4M106DB04 , 4M106DJ11 , 5B057AA03 , 5B057BA02 , 5B057CC01 , 5B057CE12 , 5B057CE15 , 5B057CF05 , 5B057CH08 , 5B057DA03 , 5B057DA08 , 5B057DB02 , 5B057DB08 , 5B057DC17 , 5L096BA03 , 5L096CA02 , 5L096FA03 , 5L096FA09 , 5L096FA52 , 5L096JA11

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体基板表面欠陥の検査方法及びその自動検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-023248 出願人：住友シチックス株式会社
特開平4-192345
ウエハ欠陥検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-105884 出願人：日本電子株式会社, 日本電子システムテクノロジー株式会社

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