特許

J-GLOBAL ID：200903091172909133

Si発光装置とその製造方法

発明者： 山田 雅雄 ,  中野 元雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-230156
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013653
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 量子細線を用いたSi発光装置とその製造方法に関し、電気的励起によって発光することのできるSi発光装置を提供することを目的とする。【構成】 第1の導電型のSi層の少なくとも表面部に形成され、バルクSiとは遷移エネルギの異なるSi量子細線集合体で形成されたポーラス領域と、前記ポーラス領域の表面上に形成され、第2導電型のキャリア供給機能を有し、前記ポーラス領域との間にダイオード構造を構成する対向層とを有する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型のSi層(1)の少なくとも表面部に形成され、バルクSiとは遷移エネルギの異なるSi量子細線集合体で形成されたポーラス領域(21、22、23)と、前記ポーラス領域の表面上に形成され、第2導電型のキャリア供給機能を有し、前記ポーラス領域との間にダイオード構造を構成する対向層(31、41;32、42;43、52)とを有するSi発光装置。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  C01G 19/00 ,  C23C 16/24