特許
J-GLOBAL ID：200903091172975390
ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-121509
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326450
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】所定のエッチング時間内に、等方性エッチングと異方性エッチングとを任意の周期で切り替えて実施できるドライエッチング装置を提供する。【構成】ECR型のドライエッチング装置で、ステージ111を約70°Cに保持し、RF発振器106bからのRFバイアスとパルスジェネレータ114からの矩形波とをAM変調回路で合成したバイアスをステージ111に印加する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の層間絶縁膜の微細エッチングを行なうために、アルゴンと弗素を含んだガスとからなるエッチングガスを用いて前記層間絶縁膜を等方性エッチングする条件を得る第1の機構と、アルミニウムに対してスパッタ効果を有し,かつアルミニウム配線が露出した状態でアルミニウム弗化物の堆積が生じながら前記エッチングガスを用いて前記層間絶縁膜を異方性エッチングする条件を得る第2の機構と、を兼ね備えたドライエッチング装置において、所要エッチング時間中にプラズマを維持するための放電を行なったままで、前記第1の機構と前記第2の機構とを任意の周期で切り替える第3の機構を有することを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
