特許

J-GLOBAL ID：200903091175872699

光電変換装置の製造方法及び光電変換装置

発明者： 大見 忠弘 ,  田中 信義
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-235896
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209098
出願日： 1983年07月02日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 各セルに増幅機能を有するもきわめて簡単な構造であり、将来の高解像度化にも十分対処しうる新しい光電変換装置を提供する。【構成】 同導電型領域よりなる2個の主電極領域1,7と該主電極領域と反対導電型の制御電極領域6よりなる半導体トランジスタの該制御電極領域6を、リフレッシュ工程において該主電極領域の一方の領域7に対して所定の逆バイアス動作にするべく、絶縁ゲート型トランジスタの主電極領域になるべく配置し、該絶縁ゲート型トランジスタが遮断状態にある状態で、光励起により発生したキャリアを該制御電極領域6に蓄積し、該蓄積されたキャリアにより発生した該制御電極領域6の蓄積電圧を読出す工程において、該制御電極上に薄い絶縁層を介して設けられた電極9に電圧を印加することにより、該制御電極領域6が該一方の主電極領域7に対して順方向にバイアスされるべく構成された。

請求項（抜粋）：

同導電型領域よりなる2個の主電極領域と該主電極領域と反対導電型の制御電極領域よりなる半導体トランジスタの該制御電極領域を、リフレッシュ工程において該主電極領域の一方の領域に対して所定の逆バイアス動作にするべく、絶縁ゲート型トランジスタの主電極領域になるべく配置し、該絶縁ゲート型トランジスタが遮断状態にある状態で、光励起により発生したキャリアを該制御電極領域に蓄積し、該蓄積されたキャリアにより発生した該制御電極領域の蓄積電圧を読出す工程において、該制御電極上に薄い絶縁層を介して設けられた電極に電圧を印加することにより、該制御電極領域が該一方の主電極領域に対して順方向にバイアスされるべく構成されたことを特徴とする光電変換装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-105672
  
• 特開昭55-030855
  
• 特開昭60-012763
  
• 特開昭56-167335